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文章來源 : 粵科檢測 發(fā)表時(shí)間:2025-03-31 瀏覽量:
江蘇粵科檢測實(shí)驗(yàn)室作為通過CNAS資質(zhì)認(rèn)可的第三方元器件失效分析機(jī)構(gòu),依托金相顯微鏡、場發(fā)射掃描電鏡(SEM)、能譜儀(EDS)、X-RAY三維透視系統(tǒng)等尖端設(shè)備,專注為電子制造企業(yè)提供科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?a href="http://m.zhouxiaodong1983.cn/news/show-2618.html" target="_blank" style="color: rgb(0, 112, 192); text-decoration: underline;">三極管失效分析服務(wù)。通過微區(qū)形貌觀測、元素成分分析、熱應(yīng)力模擬等20余項(xiàng)檢測手段,可精準(zhǔn)識別器件開路、短路、參數(shù)漂移等故障的物理根源,年服務(wù)客戶超300家,檢測準(zhǔn)確率達(dá)99.2%。
失效原因分類
- 電氣過載:浪涌電流導(dǎo)致PN結(jié)擊穿(占失效案例37%)
- 熱應(yīng)力損傷:散熱不良引發(fā)的熱擊穿/熱疲勞
- 結(jié)構(gòu)缺陷:鍵合線斷裂、芯片分層等封裝工藝問題
- 材料劣化:金屬遷移、氧化層退化等材料失效
- 環(huán)境侵蝕:潮濕、鹽霧導(dǎo)致的腐蝕失效
典型失效模式
失效形式 | 特征表現(xiàn) | 常見場景 |
開路失效 | BE/BC結(jié)電阻異常增大 | 功率器件過流擊穿 |
短路失效 | CE間漏電流超標(biāo) | ESD靜電損傷 |
參數(shù)漂移 | β值下降/漏電流增加 | 長期高溫老化 |
熱擊穿 | 芯片熔融/燒毀 | 散熱設(shè)計(jì)缺陷 |
1. 三級分析流程
- 一級分析:外觀檢查(立體顯微鏡)+電參數(shù)測試(晶體管圖示儀)
- 二級分析:X-RAY透視(封裝結(jié)構(gòu))+紅外熱成像(熱分布)
- 三級分析:開封觀察(化學(xué)開封/等離子刻蝕)+斷面分析(離子研磨)
2. 特色檢測技術(shù)
- 失效定位:EMMI微光顯微鏡捕捉熱點(diǎn)
- 元素分析:EDS能譜判定污染物質(zhì)
- 結(jié)構(gòu)解析:FIB-SEM三維斷層成像
- 對比驗(yàn)證:良品/不良品DOE對照實(shí)驗(yàn)
1. 咨詢溝通:確認(rèn)檢測需求及樣品狀態(tài);
2. 方案制定:制定檢測方案并簽訂協(xié)議;
3. 實(shí)驗(yàn)分析:開展多維度檢測并記錄數(shù)據(jù);
4. 報(bào)告編制:生成包含失效機(jī)理、改進(jìn)建議的完整報(bào)告;
5. 報(bào)告交付:提供紙質(zhì)/電子版雙版本,支持技術(shù)解讀。
- 擁有10人專家團(tuán)隊(duì)
- 支持TO/SOT/SMD等全封裝類型分析
- 檢測數(shù)據(jù)可追溯至NIST標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
- 提供失效場景重現(xiàn)與防護(hù)方案設(shè)計(jì)
電子元器件制造商、汽車電子供應(yīng)商、軍工科研單位、消費(fèi)電子品牌商
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